I dispositivi tecnologici più recenti beneficiano ormai in gran parte delle memorie flash che garantiscono una velocità molto più elevata rispetto a quella offerta da un hard disk tradizionale. Ora, come scopriamo da alcuni report in rete, le prossime memorie (che probabilmente vedremo nei Mac e nei dispositivi iOS) di Intel e Micron saranno più rapide e più capienti rispetto alle attuali.
Parliamo di una nuova tecnologia applicata alle memorie flash, la NAND 3D. Questo nuovo tipo di memoria è sviluppato in verticale (e non più in orizzontale) in modo da risparmiare spazio e da integrare molta più memoria. Ad esempio, uno spazio simile a quello di un disco “esterno” da 2,5 pollici arriverebbe ad integrare una memoria 3D NAND fino a 10 TB, davvero niente male. Parlando di dettagli tecnici, queste memorie si comporranno di 32 livelli. I costi anche saranno minori, così come i consumi anche se lo storage quindi aumenterà. Le nuove 3D NAND verranno messe in produzione verso la seconda parte del 2015.
Ovviamente non parliamo di una tecnologia riservata solo ad Apple. Tutti i produttori potranno beneficiarne. Per quanto riguarda Apple è facile pensare a come potrebbe essere impiegata una tecnologia simile: nuovi MacBook più capienti e veloci (e con un risparmio energetico ancora maggiore) e forse anche nuovi dispositivi iOS come iPhone e iPad.
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